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索 引 号:002986088/201904-00062 信息分类:130100
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名    称:中国工程院外籍院士施敏教授做客海外名师大讲堂 生成日期:2019-04-19 08:14
关 键 词: 信息来源:引智人才处 供稿
发布机构:安徽省科学技术厅 访问量:2337
信息格式: 废止日期:2039-04-14
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内容概述:近日,由安徽省科学技术厅(省外国专家局)主办,合肥高新技术产业开发区、中国科技大学微电子学院、合肥市半导体行业协会承办的施敏院士—第三期海外名师大讲堂在书法大厦隆重举办。 施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NV

中国工程院外籍院士施敏教授做客海外名师大讲堂

近日,由安徽省科学技术厅(省外国专家局)主办,合肥高新技术产业开发区、中国科技大学微电子学院、合肥市半导体行业协会承办的施敏院士—第三期海外名师大讲堂在书法大厦隆重举办。

施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

施敏教授带来了题为“浮栅存储器:从概念到闪存到第四次工业革命的演变(The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution)”的学术报告。施敏教授回顾了他本人发明浮栅结构非挥发性存储器的具体过程,讲述了浮栅存储器的工作原理、优点和随后的发展历程,详细介绍了浮栅存储器的广泛的应用和对经济社会发展的深远影响,分析了浮栅存储器在尺寸微缩过程中面临的挑战以及各类新型非易失存储器的优点和前景。

来自中国科学技术大学、安徽大学、合肥学院的相关专业师生和晶合集成电路、宏晶微电子等企业研发人员、在职培训人员共计1000余人参加了本次讲座。